产品特点与应用：
光纤记录方法与传统的在体电生理记录方法有着不同的特点。首先将GCaMP/VSD表达在特定类型的神经元中，光纤记录可以实现细胞类型特异性的活性检测，而用电生理记录的方法记录特定类型的神经元的活性比较困难。其次，电生理记录容易受到环境中的电信号以及动物的行为动作影响，而光纤记录相对来说有着较强的抗干扰性能。然后，光纤记录相对稳定，可以很容易实现长时程的活性检测，例如动物的整个学习过程，而利用电生理记录实现起来则相对困难。
光纤记录因其稳定、方便、易上手而应用广泛。首先，光纤记录可以应用在各类奖赏和惩罚类行为，例如电生理记录动物在摄取食物或者遭受足底电击时的神经元活性通常会产生很大的电信号噪声，而光纤记录则不会。其次，光纤记录可以应用在各类社会性行为中，例如社会交往，交配以及打架行为等。光纤记录还可以应用在学习相关的行为中，光纤记录能够长时程稳定检测神经元活性随着动物学习过程的变化情况。其他的各类行为如焦虑相关的行为等均可使用光纤记录观测神经元活性与行为的相关性。
四通道（双通道）光纤记录仪器是基于多模光纤的微弱荧光信号检测和记录系统，该系统能够长时间稳定的激发荧光，并检测荧光信号的微弱变化。用于在体记录动物群体神经元活动钙信号的动态变化，在脑功能研究中具有广泛的用途，其具体特点和应用如下：
特点：
1、仪器高度集成化，只需一台仪器，配合光纤记录系统电脑端软件则可以进行实时的记录及数据分析，实验简单便捷，实验前无需调试设备；
2、仪器稳定性及可移动性强，最高有4通道版本，可同时记录4只动物或一只动物4个位点。最高采样率达20000 HZ，信噪比高。
3、所有传输光路通过光纤耦合，具有很强的抗干扰能力，同时不受外界光纤干扰。
应用：
1、通过光学记录特定细胞类型在自然状态下的神经活动；
2、实时观测动物在进行复杂行为时的神经投射活动；
3、阐明特殊的神经环路在动物行为中的作用；
4、通过直接观测和投射相关的神经环路的动态活动模式
产品参数：多通道光纤记录系统（单色） INPER-C1-1C
1、整机一体化，轻巧便携，集成信号采集与数字同步模块；
2、光纤接口类型：FC或SMA接口；配备弱自发荧光光纤，有效减少背景荧光干扰；
3、激发光中心波长488 nm (561 nm)，采集光波长范围 503 nm - 538 nm (582 nm - 619 nm)；
4、激发光设置：光功率大小及光开关由软件控制，光功率调节精度0.1 μW；
5、记录模式：Continuous（持续记录）和Sequential（间断记录）两种模式；
6、感光元件：CMOS芯片;
7、通道数：默认采样通道数7路，可根据实验需求订制扩展；
8、TTL接口：6路Input接口，2路Output接口；
09、配套软件：配置专用采集与分析软件；软硬件连接方式：USB3.1接口；
10、信号标记功能：软件可对大于设定的Δf/f阈值信号进行自动标记；
11、信号输出功能：软件可在信号大于设定的Δf/f阈值时输出TTL信号；
12、采样帧率设置范围：1 - 100 FPS；曝光时间设置范围：1 - 100 ms；增益倍数设置范围：1 - 100；
13、适配性调节：光纤端面成像位置可自由调节，用户可自定义ROI区域大小；
多通道光纤记录系统（双色） INPER-C1-2C
1、整机一体化，轻巧便携，集成信号采集与数字同步模块；
2、光纤接口类型：FC或SMA接口；配备弱自发荧光光纤，有效减少背景荧光干扰；
3、激发光中心波长488 nm (561 nm)，采集光波长范围 503 nm - 538 nm (582 nm - 619 nm)；
4、410 nm激发光作为对照光源，有效减少噪声干扰。
5、激发光设置：光功率大小及光开关由软件控制，光功率调节精度0.1 μW；
6、记录模式：Continuous（持续记录）和Sequential（间断记录）两种模式；
7、感光元件：CMOS芯片;
8、通道数：默认采样通道数7路，可根据实验需求订制扩展；
9、TTL接口：6路Input接口，2路Output接口；
10、配套软件：配置专用采集与分析软件；软硬件连接方式：USB3.1接口；
11、信号标记功能：软件可对大于设定的Δf/f阈值信号进行自动标记；
12、信号输出功能：软件可在信号大于设定的Δf/f阈值时输出TTL信号；
13、采样帧率设置范围：1 - 100 FPS；曝光时间设置范围：1 - 100 ms；增益倍数设置范围：1 - 100；
14、适配性调节：光纤端面成像位置可自由调节，用户可自定义ROI区域大小；
多通道光纤（合束） BOF
光纤芯径：200 μm；NA：0.37，0.50可选
光纤数量：2-7条可定制
长度：1 m-5 m可定制
接口类型：FC或SMA
便携式光功率计 LP1
用于测量光强
测量波长：400 nm – 1100 nm
测量范围：1nm- 40 mW
